[发明专利]一种晶粒缺陷监控方法有效
| 申请号： | 201811369312.4 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN109256342B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 韩超;倪棋梁 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶粒缺陷监控方法，适用于集成电路生产过程中，提供一虚拟标准晶圆，及虚拟标准晶圆上的虚拟坐标，以及虚拟坐标与虚拟标准晶圆上晶粒的对应关系；包含以下步骤：步骤S1，提供一晶圆，对晶圆执行一缺陷检测操作获得晶圆中缺陷位置；步骤S2，晶圆上缺陷位置的实际坐标转换至虚拟坐标；步骤S3，根据虚拟坐标获得并记录缺陷位置对应的晶粒的位置；步骤S4，重复步骤S1至S3；步骤S5，根据记录的缺陷位置对应的晶粒的位置，得到每个晶粒的缺陷变化趋势。本发明的技术方案有益效果在于：能够在晶粒级别上发现晶圆表面上特定区域的缺陷异常情况和监控缺陷的变化趋势，并进行有效报警。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶粒 缺陷 监控 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶粒缺陷监控方法，适用于集成电路生产过程中，其特征在于，提供一虚拟标准晶圆，及所述虚拟标准晶圆上的虚拟坐标，以及所述虚拟坐标与所述虚拟标准晶圆上晶粒的对应关系；包含以下步骤：步骤S1，提供一晶圆，对所述晶圆执行一缺陷检测操作获得所述晶圆中缺陷位置；步骤S2，所述晶圆上缺陷位置的实际坐标转换至所述虚拟坐标；步骤S3，根据所述虚拟坐标获得并记录所述缺陷位置对应的所述晶粒的位置；步骤S4，重复步骤S1至S3；步骤S5，根据记录的所述缺陷位置对应的所述晶粒的位置，得到每个所述晶粒的缺陷变化趋势。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811369312.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于检测单晶硅太阳能电池的方法和装置
- 下一篇：基板处理装置以及基板处理方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
