[发明专利]晶圆的切割方法

摘要

本发明公开了一种晶圆的切割方法，包括以下步骤，提供晶圆，在晶圆的正面上贴附研磨胶膜层，对贴附有研磨胶膜层的晶圆的背面进行研磨，在研磨后的晶圆的背面上贴附胶膜层，并通过胶膜层将研磨后的晶圆固定于晶圆架上，去除晶圆正面上的研磨胶膜层，利用激光沿多条纵向预切痕和多条横向预切痕向晶圆背面进行第一切割，利用切割刀具沿各多条纵向第一切割道和多条横向第一切割道的深度方向对晶圆继续切割，且纵向第一切割道的宽度大于纵向第二切割道的宽度，横向第一切割道的宽度大于横向第二切割道的宽度。本发明公开的一种晶圆的切割方法，用于超薄晶圆的切割工艺中，不仅提供了一种超薄晶圆的切割工艺，并且提高了晶圆的切割的良率。

主权项

1.一种晶圆的切割方法，其特征在于，包括以下步骤：S10提供晶圆，所述晶圆包括：电路层和半导体层，并且，所述晶圆的上表面设有多条纵向预切痕和多条横向预切痕，所述多条纵向预切痕在晶圆上呈等间隔布置，所述多条横向预切痕在晶圆上呈等间隔布置，使所述多条纵向预切痕和所述多条横向预切痕呈井字形交错；S20在所述晶圆的正面上贴附研磨胶膜层；S30对贴附有研磨胶膜层的晶圆的背面进行研磨；S40在研磨后的晶圆的背面上贴附胶膜层，并通过所述胶膜层将研磨后的晶圆固定于晶圆架上；S50去除固定于晶圆架上晶圆正面上的研磨胶膜层；S60利用激光沿所述多条纵向预切痕和所述多条横向预切痕向晶圆背面进行第一切割，得到多条纵向第一切割道和多条横向第一切割道，且所述多条纵向第一切割道和所述多条横向第一切割道不贯穿所述电路层；S70利用切割刀具沿各所述多条纵向第一切割道和所述多条横向第一切割道的深度方向对晶圆继续切割，得到多条纵向第二切割道和多条横向第二切割道，所述多条纵向第二切割道和所述多条横向第二切割道的底部贯穿所述半导体层；且所述纵向第一切割道的宽度大于所述纵向第二切割道的宽度，所述横向第一切割道的宽度大于所述横向第二切割道的宽度。