[发明专利]图像传感器、其制作方法和操作方法以及成像装置有效
| 申请号： | 201811373737.2 | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN109246370B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 张超 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/335 | 分类号： | H04N5/335;H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开涉及图像传感器、其制作方法和操作方法以及成像装置。一种图像传感器包括：衬底，包括光感测区和电荷存储区，所述衬底具有第一主表面和与第一主表面相反的第二主表面，其中：在所述光感测区中形成有光感测元件，在所述电荷存储区中形成有电荷存储元件，所述光感测区和电荷存储区被形成为邻接或者邻近所述第一表面，并且在从所述第二主表面向第一主表面的方向上，所述光感测区的至少一部分高于所述电荷存储区整体。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 制作方法 操作方法 以及 成像 装置 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，包括：衬底，包括光感测区和电荷存储区，所述衬底具有第一主表面和与第一主表面相反的第二主表面，其中：在所述光感测区中形成有光感测元件，在所述电荷存储区中形成有电荷存储元件，所述光感测区和电荷存储区被形成为邻接或者邻近所述第一表面，并且在从所述第二主表面向第一主表面的方向上，所述光感测区的至少一部分高于所述电荷存储区整体。
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