[发明专利]一种蓝宝石单面抛光片厚度不良返工流程与方法

摘要

本发明专利公布了一种蓝宝石单面抛光片厚度不良的返工流程与方法，其特征在于通过现有设备对蓝宝石晶片单面进行抛光；首先对抛光后的蓝宝石晶片表面进行图形测绘；然后通过测量分析得出蓝宝石晶片表面厚度单位区域差异(TTV、LTV、TIR、坑点)；根据对蓝宝石晶片表面厚度单位区域(TTV、LTV、TIR、坑点)数值的分析，结合降低成品晶片报废率及提升晶片返工最大利用率原则对抛光晶片载盘、抛光垫、机台盘面、抛光液进行改良；最后用调整后的抛光方法对蓝宝石单抛片进行返抛。测量抛光后蓝宝石返抛片的整体厚度单位区域差异(TTV、LTV、TIR、坑点)，直到达到晶片厚度平整度要求。

主权项

1.一种蓝宝石单面抛光片厚度不良返工流程与方法，其特征在于该流程与方法的控制步骤为：步骤一，首先对抛光后的厚度不良单抛晶片表面进行图形测绘。步骤二，通过测绘分析得出蓝宝石晶片表面厚度(TTV、LTV、TIR、坑点)不符合要求的区域。步骤三，根据对蓝宝石晶片表面厚度(TTV、LTV、TIR、坑点)数值的分析结合降低成品晶片报废率及提升晶片返工最大利用率原则对抛光机台晶片载盘、抛光垫、机台盘面、抛光液进行改良。步骤四，用调整后的抛光方法对蓝宝石单抛片进行返抛，测量抛光后蓝宝石晶片表面的厚度单位区域差异(TTV、LTV、TIR、坑点)。