[发明专利]嵌入式微流道的三维主动散热封装结构及其制作工艺有效

专利信息
申请号: 201811374347.7 申请日: 2018-11-19
公开(公告)号: CN109524373B 公开(公告)日: 2020-10-30
发明(设计)人: 朱家昌;明雪飞;高娜燕 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十八研究所
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/46;H01L23/473
代理公司: 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 代理人: 杨立秋
地址: 214000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种嵌入式微流道的三维主动散热封装结构及其制作工艺,属于集成电路封装的技术领域。所述三维主动散热封装结构包括三维封装结构;在所述三维封装结构顶层设有微流道芯片结构单元,所述微流道芯片结构单元包括嵌入微流道结构的IC芯片与微流道盖板,在所述三维封装结构底层设有二维异构集成结构单元,所述二维异构集成结构单元包括通过阵列凸点和底部填充层连接的TSV转接板与IC芯片,所述微流道芯片结构单元与二维异构集成结构单元通过阵列凸点和底部填充层连接,最终与嵌入微流道基板/外壳封装形成三维主动散热封装结构。本发明能极大降低三维封装系统层间热阻,有效提升电路散热能力,实现高密度、高性能的三维系统级封装,安全可靠。
搜索关键词: 嵌入 式微 三维 主动 散热 封装 结构 及其 制作 工艺
【主权项】:
1.一种嵌入式微流道的三维主动散热封装结构,其特征是:包括三维封装结构(1),在所述三维封装结构(1)顶层设有微流道芯片结构单元(2),所述微流道芯片结构单元(2)包括嵌入微流道结构的IC芯片(3)与微流道盖板(4),在所述三维封装结构(1)底层设有二维异构集成结构单元(5),所述二维异构集成结构单元(5)包括TSV转接板(7)和IC芯片(8),TSV转接板(7)和IC芯片(8)通过再布线层(6)连接;所述微流道芯片结构单元(2)与二维异构集成结构单元(5)通过阵列凸点(9)和底部填充层(10)连接,最终与嵌入微流道基板(11)和封装外壳(12)封装形成三维主动散热封装结构,电信号由嵌入微流道基板(11)表面的阵列外引出端(13)引出。
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