[发明专利]具有柱结构的晶体管器件及制造晶体管器件的方法有效
| 申请号： | 201811374824.X | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN109950315B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 小仓尚;相马充;D·E·普罗布斯特;广岛崇;P·A·布尔克;谷口敏光 | 申请（专利权）人： | 半导体组件工业公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及具有柱结构的晶体管器件及制造晶体管器件的方法。晶体管器件包括设置在半导体区中并且包括栅极电极的第一沟槽，以及设置在所述半导体区中的第二沟槽。装置包括设置在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的台面区，以及设置在所述台面区的顶部部分中的第一导电类型的源极区。所述装置包括所述第一导电类型的外延层，以及设置在所述台面区中并且设置在所述第一导电类型的所述源极区和所述外延层之间的第二导电类型的体区。所述装置包括所述第二导电类型的柱，所述柱设置在所述台面区中，使得所述源极区的第一部分设置在所述柱侧面，并且所述源极区的第二部分设置在所述柱上方。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 晶体管 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管器件，包括：第一沟槽，设置在半导体区中并且包括栅极电极；第二沟槽，设置在所述半导体区中；台面区，设置在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间；第一导电类型的源极区，设置在所述台面区的顶部部分中；所述第一导电类型的外延层；第二导电类型的体区，所述第二导电类型的体区设置在所述台面区中并且设置在所述源极区和所述第一导电类型的所述外延层之间；以及所述第二导电类型的柱，所述柱设置在所述台面区中，使得所述源极区的第一部分设置在所述柱侧面，并且所述源极区的第二部分设置在所述柱上方。
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