[发明专利]基于栅控技术进行散裂中子源1MeV等效中子注量测量的方法有效
| 申请号： | 201811375956.4 | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN109490946B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 刘岩;陈伟;郭晓强;金晓明;李俊霖;白小燕;王晨辉;薛院院 | 申请（专利权）人： | 西北核技术研究所 |
| 主分类号： | G01T3/08 | 分类号： | G01T3/08 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 汪海艳 |
| 地址： | 710024 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供基于栅控技术进行散裂中子源1MeV等效中子注量测量的方法，解决了现有散裂中子源测量低通量1MeV等效中子注量手段有限的技术问题，本发明利用双极型晶体管少数载流子寿命倒数和1MeV等效中子注量呈线性关系的特点，实现基于反应堆1MeV等效中子在横向晶体管上的少子寿命损伤常数计算出散裂中子源1MeV等效中子注量，该方法在很宽的中子注量范围内可以保持较高的测量准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 中子注量 散裂中子源 测量 少数载流子寿命 双极型晶体管 横向晶体管 常数计算 少子寿命 线性关系 反应堆 低通 倒数 损伤 | ||
【主权项】：
1.一种基于栅控技术进行散裂中子源1MeV等效中子注量测量的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、筛选栅控横向PNP晶体管样本；对m个栅控横向PNP晶体管进行栅控扫描测试，计算各栅控横向PNP晶体管初始状态下的少数载流子寿命τ0；选择τ0一致的栅控横向PNP晶体管作为样本；步骤2、获取反应堆1MeV等效中子注量下样本中栅控横向PNP晶体管的少子寿命损伤常数K；步骤2.1、将步骤1样本中的部分栅控横向PNP晶体管不加偏置进行反应堆中子辐照至不同注量；并测量不同中子注量点对应的反应堆1MeV等效中子注量；步骤2.2、在不同注量点对各栅控横向PNP晶体管进行栅控扫描测试，栅控扫描测试条件与步骤1.1中栅控扫描测试条件一致；步骤2.3、计算出各中子注量点下栅控横向PNP晶体管的平均少数载流子寿命τφ；步骤2.4、计算不同反应堆1MeV等效中子注量下栅控横向PNP晶体管少数载流子寿命倒数的退化1/τφ‑1/τ0，根据栅控横向PNP晶体管少数载流子寿命倒数和反应堆1MeV等效中子注量的线性关系，获得栅控横向PNP晶体管的反应堆1MeV等效中子注量下少子寿命损伤常数K；步骤3、获得散裂中子源1MeV等效中子注量；步骤3.1、将步骤1样本中未经反应堆中子辐照的栅控横向PNP晶体管置于散裂中子源中子辐射环境进行辐照；步骤3.2、辐照后，采用与步骤1.1中栅控扫描测试条件一致的栅控扫描测试方法对栅控横向PNP晶体管进行栅控扫描测试；步骤3.3、计算出当前中子注量下栅控横向PNP晶体管的少数载流子寿命τ‵；步骤3.4、利用其倒数的变化量1/τ′‑1/τ0除以步骤2获得的少子寿命损伤常数K得到散裂中子源在这段时间内累积的1MeV等效中子注量。
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