[发明专利]一种射电天文台址电磁兼容性控制方法

摘要

本发明涉及一种射电天文台址电磁兼容性控制方法，其包括以下步骤：步骤S1，计算获得射电天文台址的电子设备所在位置的干扰电平门限值PE_limit；以及步骤S2，根据所述干扰电平门限值PE_limit评估所述电子设备的电磁兼容性。本发明给出了射电望远镜不同频率的馈源口面保护门限值的计算公式，以及电子设备所在位置的干扰电平门限值的计算方法，从而使其计算结果更为准确；另外，本发明分两步进行RAE的电磁兼任性评估：1、在非屏蔽状态下RAE的电磁辐射测量，结合RAE所在位置干扰电平限值要求，计算RAE的电磁屏蔽设计需求；2、在RAE电磁屏蔽后，测量屏蔽壳体的屏蔽效能，再评估RAE是否满足所在位置干扰电平限值要求，从而有效地评估了RAE的电磁兼容性是否满足要求。

主权项

1.一种射电天文台址电磁兼容性控制方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤S1，计算获得射电天文台址的电子设备所在位置的干扰电平门限值PE_limit；以及步骤S2，根据所述干扰电平门限值PE_limit评估所述电子设备的电磁兼容性；其中，所述步骤S1包括：步骤S11，计算获得射电望远镜的馈源口面保护门限值TFAL；步骤S12，计算获得所述电子设备到达射电望远镜的馈源口面的电波路径衰减GLoss；步骤S13，计算获得所述电子设备进入射电望远镜的接收系统的天线增益G(φ)；以及步骤S14，根据下式计算获得所述电子设备所在位置的干扰电平限值PE_limit：PE_limit＝TFAL‑G(φ)+GLoss；所述步骤S2包括：步骤S21，通过电磁辐射测量系统在非屏蔽状态下测量获得所述电子设备的电磁辐射测量频谱PM，其中，所述电磁辐射测量系统的不确定度为Un；步骤S22，根据下式计算获得所述电子设备的电磁辐射限值PE：PE＝PE_limit‑Un；步骤S23，比较所述电磁辐射测量频谱PM与所述电磁辐射限值PE，若PM≤PE，则安装所述电子设备，否则，计算所述电子设备的屏蔽效能设计需求SER；步骤S24，根据所述屏蔽效能设计需求SER设计用于所述电子设备的屏蔽壳体，并测量获得所述屏蔽壳体的屏蔽效能SEM；步骤S25，比较所述屏蔽效能SEM与所述屏蔽效能设计需求SER，若SEM≥SER，则安装所述电子设备，否则，返回执行步骤S24，直至SEM≥SER后安装所述电子设备；以及步骤S26，评估安装后的所述电子设备的电磁兼容性，若安装后的所述电子设备满足电磁兼容性要求，则所述电子设备正常工作，否则，进行电磁兼容整改，直至满足电磁兼容性要求后，所述电子设备正常工作。