[发明专利]一种含吩噁嗪结构的双给体空穴传输材料及其制备方法和钙钛矿太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201811376434.6 申请日: 2018-11-19
公开(公告)号: CN109320525B 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 蔡宁;陈亚通;钱赛男;罗瑞希;张华堂;霍延平 申请(专利权)人: 广东工业大学
主分类号: C07D495/04 分类号: C07D495/04;H01L51/42;H01L51/46
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 张春水;唐京桥
地址: 510060 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明尤其涉及一种含吩噁嗪结构的双给体空穴传输材料及其制备方法和钙钛矿太阳能电池。本发明公开了一种含吩噁嗪结构的双给体空穴传输材料,具有式(Ⅰ)所示结构;其中,A为含有共轭结构的基团,R为氢原子、烷烃基、烷氧基、烷硫基、环烷基、芳烷基及其衍生物、芳氧基、烷硒基、烷碲基、卤烷基、羟基或羰基。由实验数据可知,其能够获得较高的空穴迁移率10‑4cm2V1s‑1,该含吩噁嗪结构的双给体空穴传输材料制备方法简单,无需添加掺杂剂,成本低廉,易于分离提纯,将该含吩噁嗪结构的双给体空穴传输材料应用在钙钛矿太阳能电池中,可以得到18.23%的光电转换效率和较高的填充因子ff为0.77,电荷复合较弱,具有广阔应用前景。
搜索关键词: 一种 含吩噁嗪 结构 空穴 传输 材料 及其 制备 方法 钙钛矿 太阳能电池
【主权项】:
1.一种含吩噁嗪结构的双给体空穴传输材料,其特征在于,具有式(Ⅰ)所示结构;其中,A为含有共轭结构的基团,R为氢原子、烷烃基、烷氧基、烷硫基、环烷基、芳烷基及其衍生物、芳氧基、烷硒基、烷碲基、卤烷基、羟基或羰基。
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