[发明专利]一种类单晶籽晶的铺设方法在审
| 申请号： | 201811376708.1 | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN109321968A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 黄晶晶;张涛;肖贵云;丁云飞;梅坤;姜志兴;叶鹏;金浩 | 申请（专利权）人： | 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/14 | 分类号： | C30B11/14;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 334100 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种类单晶籽晶的铺设方法，包括在坩埚底部紧密铺设厚度与籽晶熔化结束跳步高度相同的第一层单晶籽晶；在所述第一层单晶籽晶上面错位式紧密铺设第二层单晶籽晶，其中，所述第二层单晶籽晶的拼接缝与所述第一层单晶籽晶的拼接缝相互错开，因此即使因运输或高温导致第二层单晶籽晶之间产生拼接缝，高温熔化的液体穿透第二层单晶籽晶之间的拼接缝之后也不会进入第一层单晶籽晶之间的拼接缝，也就是说，这种铺设方法能够避免硅熔体沿着拼接缝向下流而冷却凝固产生多晶，从而提高高效单晶硅片的比例，并降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶籽晶 拼接缝 第一层 铺设 熔化 单晶硅片 高温熔化 冷却凝固 液体穿透 错位式 硅熔体 错开 多晶 跳步 籽晶 坩埚 申请 运输 | ||
【主权项】：
1.一种类单晶籽晶的铺设方法，其特征在于，包括：在坩埚底部紧密铺设厚度与籽晶熔化结束跳步高度相同的第一层单晶籽晶；在所述第一层单晶籽晶上面错位式紧密铺设第二层单晶籽晶，其中，所述第二层单晶籽晶的拼接缝与所述第一层单晶籽晶的拼接缝相互错开。
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