[发明专利]电压控制方法、器件，供电电路及电路系统与应用在审
| 申请号： | 201811377996.2 | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN109617402A | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 张少锋;王晓芹;周仲建;钟川 | 申请（专利权）人： | 成都方舟微电子有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/156 | 分类号： | H02M3/156;H02M1/32 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所(普通合伙) 11276 | 代理人： | 刘云贵 |
| 地址： | 610034 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了电压控制方法、器件，供电电路及电路系统与应用，其中，限制输出电压的方法，将N沟道耗尽型MOSFET接入电路，所述耗尽型MOSFET的源极S电位高于栅极G的电位，在源极S和栅极G之间接入负载。限制电压的器件，发明包括耗尽型MOSFET核，所述MOSFET核包括漏极D、栅极G、源极S；所述漏极D构成器件上用于与供电第一端连接的第一供电引脚a，栅极G构成器件上用于与供电第二端及负载第二端进行连接的第二供电引脚b，所述源极S构成器件上用于与负载连接的负载引脚c。本发明克服了传统供电电路缺点，简化了电路结构，节省了元器件，降低成本，提升了性能。 | ||
| 搜索关键词： | 源极 供电电路 电位 耗尽型MOSFET 电路系统 电压控制 供电引脚 漏极 供电 电路结构 负载连接 负载引脚 接入电路 输出电压 限制电压 第一端 元器件 应用 | ||
【主权项】：
1.限制输出电压的方法，将N沟道耗尽型MOSFET 接入电路，其特征在于，所述耗尽型MOSFET的源极S电位高于栅极G的电位，在源极S和栅极G之间接入负载。
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