[发明专利]半导体器件及半导体器件制备方法有效
| 申请号： | 201811378845.9 | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN111200018B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 方冬;卞铮 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种半导体器件，包括第一导电类型衬底，衬底上形成有第二导电类型体区，体区内形成有第一导电类型阱区，还包括穿透第一导电类型阱区和第二导电类型体区并延伸至衬底的沟槽，沟槽底部和顶部分别形成有第一多晶硅体和第二多晶硅体通过隔离结构隔离，第一导电类型阱区和分离栅结构的表面形成有层间介质层且层间介质层填充于沟槽内，沟槽内形成有导电栓塞，导电栓塞穿透层间介质层和隔离结构并延伸至第一多晶硅体内部，导电栓塞与源极连接，第二多晶硅体与栅极连接。通过设置导电栓塞，可以在分离栅元胞区域引出第一多晶硅体与源极连接，减小器件面积且避免刻蚀空洞。本申请还涉及一种制备上述半导体器件的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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