[发明专利]图像传感器及其制造方法以及成像装置在审
| 申请号： | 201811379519.X | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN109285854A | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 王阳阳;汤茂亮;刘少东 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张荣海 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开涉及图像传感器及其制造方法以及成像装置。提供了一种图像传感器，包括：衬底；形成在所述衬底中的黑色像素区，所述黑色像素区包含黑色像素辐射感测元件；形成在所述衬底中的有源像素区；以及缓冲区，在所述衬底的横向方向上所述黑色像素区和所述有源像素区将所述缓冲区夹在中间，在所述缓冲区中形成有第一阻挡壁，所述第一阻挡壁至少部分地阻挡在所述衬底中经由所述缓冲区朝向所述黑色像素辐射感测元件传播的辐射。 | ||
| 搜索关键词： | 黑色像素 衬底 缓冲区 图像传感器 成像装置 感测元件 源像素 阻挡壁 辐射 横向方向 制造 阻挡 传播 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，其特征在于包括：衬底；形成在所述衬底中的黑色像素区，所述黑色像素区包含黑色像素辐射感测元件；形成在所述衬底中的有源像素区；以及缓冲区，在所述衬底的横向方向上所述黑色像素区和所述有源像素区将所述缓冲区夹在中间，在所述缓冲区中形成有第一阻挡壁，所述第一阻挡壁至少部分地阻挡在所述衬底中经由所述缓冲区朝向所述黑色像素辐射感测元件传播的辐射。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
