[发明专利]一种N型太阳能电池多步硼扩散工艺

摘要

本发明公开一种N型太阳能电池多步硼扩散工艺，包括如下步骤：(a)、选取N型硅片作为基底材料，在硅片表面通过碱腐蚀形成金字塔绒面；(b)、对处理后硅片表面进行RCA清洗并烘干；(c)、将烘干后N型硅片放置与扩散炉管中，通过多步硼扩散工艺在表面形成PN结；(d)、再对硅片进行后续N型电池制程处理。本发明提出一种硼扩散工艺的新方法，解决N型电池片表面PN结制备的难题，可制备出均匀性好，接触性能优良的PN结，降低电池片横向接触电阻；同时，可以通过调整携带硼源的氮气流量及驱入的时间及温度等参数的调节，得到不同表面掺杂浓度及结深，匹配不同的金属化工艺，可进一步提高N型电池的转换效率。

主权项

1.一种N型太阳能电池多步硼扩散工艺，其特征在于，包括如下步骤：(a)、选取N型硅片作为基底材料，在硅片表面通过碱腐蚀形成金字塔绒面；(b)、对处理后硅片表面进行RCA清洗并烘干；(c)、在硅片表面制备PN结，将烘干后N型硅片放置与扩散炉管中，通过多步硼扩散工艺在表面形成PN结；(d)、再对硅片进行后续N型电池制程处理；所述步骤(c)中多步硼扩散工艺步骤包括：c1、首先检漏，在温度为850℃～870℃下稳定，升温控制温度在871℃～890℃，再稳定，再用一定量的硼源预沉积；c2、然后用一定量的硼源沉积一段时间后再用氧氛稳定，循环此沉积操作M次；c3、最后用一定量的硼源沉积、清扫，升温控制温度在900℃～980℃，高温将硼原子驱入硅片形成PN结；其中，3≤M≤20。