[发明专利]一种锰酸锂正极材料及其制备方法有效
申请号: | 201811379849.9 | 申请日: | 2018-11-20 |
公开(公告)号: | CN110600685B | 公开(公告)日: | 2022-07-19 |
发明(设计)人: | 高鹏鑫;刘世琦 | 申请(专利权)人: | 湖北宇浩高科新材料有限公司 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/505;H01M10/0525 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 王焕 |
地址: | 442000 湖北省十*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供了一种锰酸锂正极材料及其制备方法,包括以下步骤:将锂源、锰源和掺杂剂A,经过高温烧结得到中间产物;将中间产物与掺杂剂B混合,加入螯合剂,经过沉淀、过滤、洗涤、热处理后,得到锰酸锂正极材料。本发明所述的掺杂剂A为Ⅲ族元素的酸、氢氧化物、氧化物或盐,所述的掺杂剂B为Ⅴ族元素的酸、氢氧化物、氧化物或盐。本发明所述的锰酸锂正极材料具有以下特征,体相掺杂的Ⅲ族元素可以提供大量的“空穴”,表层掺杂的Ⅴ族元素可以提供大量的电子,使锰酸锂正极材料具有半导体PN结的特性,可以提高材料的导电性能和结构稳定性;同时能够提高锂离子电池的倍率性能和循环性能。本发明所述的制备方法简单,适合规模化生产,能够显著改善锂离子电池的倍率性能、循环性能和安全性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 锰酸锂 正极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种锰酸锂正极材料,其特征在于,所述的正极材料体相掺杂的Ⅲ族元素,表层掺杂的Ⅴ族元素,两个掺杂区紧密接触构成结界面。/n
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