[发明专利]高性能低残压特高压避雷器的实现方式在审
| 申请号： | 201811380886.1 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN109637763A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 何金良;孟鹏飞;胡军;谷山强;万帅;谭进;许衡;徐华;邵先军;周志成 | 申请（专利权）人： | 清华大学;国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司;国网浙江省电力有限公司;国网江苏省电力有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/12 | 分类号： | H01C7/12;H01C17/00 |
| 代理公司： | 天津市尚仪知识产权代理事务所(普通合伙) 12217 | 代理人： | 薛阳 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种高性能低残压特高压避雷器的实现途径,包括降低施主密度、提高晶界表面态密度、降低晶粒电阻率、降低晶粒尺寸、提高晶粒尺寸均匀性，所述降低晶粒电阻率的措施是通过降低残压梯度来降低ZnO压敏电阻残压比，所述降低施主密度、提高晶界表面态密度、降低晶粒尺寸、提高晶粒尺寸均匀性均是通过提高参考电压梯度来降低ZnO压敏电阻的残压比。其有益效果是：研制性能优异的特高压避雷器，缩短避雷器的长度并改善避雷器的电位分布，高电压梯度的ZnO阀片。 | ||
| 搜索关键词： | 晶粒 残压 特高压避雷器 表面态密度 尺寸均匀性 压敏电阻 避雷器 电阻率 晶界 高电压梯度 参考电压 电位分布 阀片 | ||
【主权项】：
1.一种高性能低残压特高压避雷器的实现途径,包括降低施主密度、提高晶界表面态密度、降低晶粒电阻率、降低晶粒尺寸、提高晶粒尺寸均匀性，其特征在于，所述降低晶粒电阻率的措施是通过降低残压梯度来降低ZnO压敏电阻残压比，所述降低施主密度、提高晶界表面态密度、降低晶粒尺寸、提高晶粒尺寸均匀性均是通过提高参考电压梯度来降低ZnO压敏电阻的残压比。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司;国网浙江省电力有限公司;国网江苏省电力有限公司，未经清华大学;国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司;国网浙江省电力有限公司;国网江苏省电力有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811380886.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
