[发明专利]一种高纯高分散的D50:0.4-0.6微米的氧化钆颗粒的制备方法有效
申请号: | 201811380970.3 | 申请日: | 2018-11-20 |
公开(公告)号: | CN109231254B | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 龚晔 | 申请(专利权)人: | 常州市卓群纳米新材料有限公司 |
主分类号: | C01F17/206 | 分类号: | C01F17/206;C04B35/626;C04B35/50 |
代理公司: | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 王美华;任晓岚 |
地址: | 213144 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: |
本发明公开了一种高纯高分散的D50:0.4‑0.6μm的氧化钆颗粒的制备方法,包括如下步骤:首先,在搅拌条件下,以GdCl |
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搜索关键词: | 一种 高纯 分散 d50 0.4 0.6 微米 氧化 颗粒 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高纯高分散的D50:0.4‑0.6μm的氧化钆颗粒的制备方法,其特征在于:所述方法包括如下步骤:(1)在搅拌条件下,向装有0.8‑1.2mol/L的GdCl3溶液的反应釜中,滴加浓度为0.8‑1.5mol/L的草酸溶液,草酸溶液的滴加速度为5‑6L/min,GdCl3溶液中的GdCl3与草酸溶液中的草酸摩尔比为256:10.4,滴加结束后继续搅拌1‑2小时,然后静置0.5‑1.5小时,制得氧化钆前驱体,反应过程中控制反应体系的pH值为1.8‑2.2;(2)用板框压滤机水洗步骤(1)制得的氧化钆前驱体,洗涤用水为60‑90℃的去离子水;(3)将经步骤(2)水洗后的氧化钆前驱体沉淀物进行煅烧,煅烧温度为820‑870℃,煅烧时间为2‑4小时,使氧化钆前驱体转化为氧化钆;(4)将去离子水和步骤(3)制得的氧化钆充分搅拌后加入卧式砂磨机中,然后加入硅烷偶联剂,开启砂磨机高速研磨,砂磨机转速为2300‑2500r/min,研磨时间为50‑60min,制得含D50:0.4‑0.6μm氧化钆的浆料;其中,步骤(3)制得的氧化钆与去离子水的质量用量比为2‑3:3‑4,硅烷偶联剂的质量用量是步骤(3)制得的氧化钆质量用量的2‑5%;(5)将步骤(4)制得的含D50:0.4‑0.6μm氧化钆的浆料进行冷冻干燥,制得粉体;(6)将冷冻干燥后制得的粉体进行气流粉碎,制得所述高纯高分散的D50:0.4‑0.6微米的氧化钆颗粒。
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