[发明专利]一种选择性刻蚀生长基底制备悬空石墨烯支撑膜的方法有效
| 申请号： | 201811381142.1 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN109437176B | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 彭海琳;郑黎明;邓兵 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C01B32/194 | 分类号： | C01B32/194 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种选择性刻蚀生长基底制备悬空石墨烯支撑膜的方法。该制作方法避免了石墨烯的转移过程，效率高、成本低，一步刻蚀即可得到高质量的石墨烯支撑膜。所得的石墨烯支撑膜无需任何高分子膜及高分子纤维辅助支撑，石墨烯支撑膜层数可控，完整度高(90％‑97％)、悬空面积大(直径10‑50μm)、洁净区域广(＞100nm)，并可实现批量制备。此外，该石墨烯支撑膜可直接用于透射电镜支撑膜，并能实现所纳米颗粒的高分辨成像。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 选择性 刻蚀 生长 基底 制备 悬空 石墨 支撑 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备悬空石墨烯支撑膜的方法，包括：1)在金属基底的两表面生长得到石墨烯薄膜；2)刻蚀掉步骤1)所得金属基底一侧的石墨烯薄膜，旋涂光刻胶，光刻，得到石墨烯/金属基底/光刻胶复合体；3)将步骤2)所得石墨烯/金属基底/光刻胶复合体悬浮在刻蚀液液面上，刻蚀液将所述光刻步骤暴露出来的金属基底刻蚀完全，除去光刻胶，得到所述悬空石墨烯支撑膜。
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