[发明专利]超结器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811381199.1 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN111200025A | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 肖胜安 | 申请（专利权）人： | 深圳尚阳通科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/808 | 分类号： | H01L29/808;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/335;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超结器件，由保护环氧化膜将电流流动区打开，电流流动区包括形成于N型外延层中的超结结构，在各P型柱的顶部都形成有P型阱；JFET区的离子注入由保护环氧化膜自对准定义；在同一超结单元的N型柱上方的包括两个分开的分栅平面栅结构；源区形成在P型阱的表面；JFET离子注入在分栅平面栅的栅氧化膜的形成工艺之前进行，使JFET区具有经过栅氧化膜的热氧化工艺进行退火推进的结构。本发明还公开了一种超结器件的制造方法。本发明能实现分栅平面栅结构来降低器件的栅漏电容，同时能对具有分栅平面栅结构的超结器件的JFET区实现更好的扩散，从而能降低器件的导通电阻以及提高器件的可靠性，同时不会增加工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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