[发明专利]一种低歧视离子门及控制方法有效
| 申请号： | 201811381337.6 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN111199867B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 李海洋;陈红;厉梅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | H01J49/16 | 分类号： | H01J49/16;H01J49/26 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 马驰 |
| 地址： | 116023 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低歧视离子门及控制方法，该装置由依次设置在离子迁移管内的离子源和法拉第盘之间的三个平行、同轴、间隔、绝缘的栅网1、栅网2和栅网3组成。栅网1和离子源之间的区域为反应区，栅网3与法拉第盘之间的区域为迁移区。通过周期性控制该离子门中三个栅网之间的电场，实现不同迁移率离子的低歧视注入。每个周期有三种状态：第一状态时，离子源，栅网1、栅网2和栅网3和法拉第盘上的电势依次降低；调至第二状态，栅网1和栅网2之间的电场方向与反应区及迁移区的电场方向相反，将该离子门调至第三状态，第三状态维持一段时间后，再次切换到第一状态，开始下一周期。这种离子门和控制方法，可以实现不同迁移率离子的低歧视注入。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 歧视 离子 控制 方法 | ||
【主权项】：
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