[发明专利]双层氧化钒薄膜组件及双波段红外探测单元及其制备方法在审
| 申请号： | 201811381604.X | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN109470370A | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 苟君;王军;牛青辰;于贺;蒋亚东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01J5/20 | 分类号： | G01J5/20 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 何祖斌 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双层氧化钒薄膜组件，属于红外探测与成像技术领域，解决了现有的双波段阵列探测器的微桥结构存在的需要使氧化钒薄膜发生半导体相‑金属相的可逆相变，且在红外波段只是针对长波红外(8～14μm)的探测应用的问题，包括下层连续氧化钒薄膜和上层周期结构氧化钒薄膜，上层周期结构氧化钒薄膜固定于下层连续氧化钒薄膜的上表面上；上层周期结构氧化钒薄膜内集成二维周期性光陷阱结构吸收近红外线(0.7～2.5μm)或中红外线(3～5μm)辐射，因此能够覆盖两个红外波段的大气窗口，下层连续氧化钒薄膜和上层周期结构氧化钒薄膜同时作为两个红外波段的热敏感层。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化钒薄膜 周期结构 红外波段 连续氧化 上层 下层 薄膜 双波段 成像技术领域 红外探测单元 长波 二维周期性 光陷阱结构 阵列探测器 红外探测 近红外线 可逆相变 热敏感层 微桥结构 中红外线 金属相 上表面 制备 半导体 探测 辐射 覆盖 吸收 应用 | ||
【主权项】：
1.一种双层氧化钒薄膜组件，其特征在于，包括下层连续氧化钒薄膜和上层周期结构氧化钒薄膜，上层周期结构氧化钒薄膜固定于下层连续氧化钒薄膜的上表面上。
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