[发明专利]相位对焦图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201811382930.2 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN109346494A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 张东亮;陈世杰;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种相位对焦图像传感器及其形成方法，图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括相位对焦区，所述半导体衬底具有相对的第一面和第二面；位于半导体衬底相位对焦区内的第一感光结构，所述第一感光结构包括相对的第一表面和第二表面，所述第一感光结构包括吸收层，所述吸收层用于吸收红外光，所述第一感光结构第一表面暴露出所述吸收层；位于半导体衬底相位对焦区第二面表面的第一滤光层，所述第一滤光层通过自然光。所述相位对焦图像传感器的性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 感光结构 半导体 对焦图像 吸收层 传感器 对焦 第一表面 第二面 滤光层 红外光 图像传感器 自然光 第二表面 暴露 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种相位对焦图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括相位对焦区，所述半导体衬底具有相对的第一面和第二面；位于半导体衬底相位对焦区内的第一感光结构，所述第一感光结构包括相对的第一表面和第二表面，所述第一感光结构包括吸收层，所述吸收层用于吸收红外光，所述第一感光结构第一表面暴露出所述吸收层；位于半导体衬底相位对焦区第二面表面的第一滤光层，所述第一滤光层通过自然光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
