[发明专利]加热的基板支撑件在审
| 申请号： | 201811383048.X | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN110010516A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 戈文达·瑞泽 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H05B3/22 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种用于半导体处理腔室的加热器，所述加热器包括：陶瓷主体；和电阻加热元件，所述电阻加热元件嵌入所述陶瓷主体中，所述电阻加热元件以加热器线圈的形式设置，所述加热器线圈具有内中心区段和外中心区段，所述内中心区段具有多个第一尖峰并且所述外中心区段具有多个第二尖峰，其中所述第一尖峰的数量小于约56，并且所述第二尖峰的数量小于约80。 | ||
| 搜索关键词： | 尖峰 中心区段 电阻加热元件 加热器 加热器线圈 陶瓷主体 半导体处理腔室 基板支撑件 加热 嵌入 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体处理腔室的基板加热器，所述加热器包括：圆形陶瓷主体，具有外径；多个净化开口，设置在所述陶瓷主体中；和电阻加热元件，嵌入所述陶瓷主体中，所述电阻加热元件以加热器线圈图案设置，所述加热器线圈图案包括：外区段；初级环，所述初级环包括第一导电元件，其中所述第一导电元件包括多个第一尖峰，所述第一尖峰的高度为所述圆形陶瓷主体的所述外径的约2％至约4％；和次级环，所述次级环包括第二导电元件，其中第二导电元件包括多个第二尖峰，所述第二尖峰的数量大于所述第一尖峰的数量，所述第二尖峰的高度为所述圆形陶瓷主体的所述外径的约2％至约4％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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