[发明专利]多通道相控阵系统通道间的参数校准方法在审
申请号: | 201811384202.5 | 申请日: | 2018-11-20 |
公开(公告)号: | CN109286451A | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
发明(设计)人: | 章策珉 | 申请(专利权)人: | 成都仕芯半导体有限公司 |
主分类号: | H04B17/11 | 分类号: | H04B17/11;H04B17/12;H04B17/21 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 刘沙粒 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了多通道相控阵系统通道间的参数校准方法,包括基准通道校准步骤和待校准通道校准步骤,基准通道校准步骤:选择任一路通道作为基准通道,对基准通道做全状态校准并生成全状态控制数据S(A),存储所述全状态控制数据S(A);所述述待校准通道校准步骤中,校准的参数值为相移量或者衰减量,当校准相移量时衰减量不变,当校准衰减量时相移量不变,所述待校准通道校准步骤包括至少一个指定参数组下的校准。相较于现有校准方法,不仅大幅缩短了校准时间、大幅减少了数据存储量,同时显著地提高了校准精度,能够精确、快速地完成上万个通道的参数一致性校准,具有广泛的推广价值。 | ||
搜索关键词: | 校准 基准通道 校准通道 全状态 衰减量 相移量 相控阵系统 参数校准 控制数据 多通道 参数一致性 数据存储量 参数组 存储 | ||
【主权项】:
1.多通道相控阵系统通道间的参数校准方法,包括基准通道校准步骤和待校准通道校准步骤,其中:基准通道校准步骤:选择任一路通道作为基准通道,对基准通道做全状态校准并生成全状态控制数据S(A),存储所述全状态控制数据S(A);其特征在于,待校准通道校准步骤之前还设置有校准参数选择步骤:所需校准的参数为相移量或者衰减量,选择其中一种作为待校准参数,另一种作为恒定参数;所述待校准通道校准步骤包括至少一个指定参数组下的校准,每个指定参数组下的校准包括以下步骤:S01:选择全状态控制数据S(A)中任一状态控制数据对应的指定参数组,确定指定参数组中各指定参数的取值,选择该状态控制数据对应的恒定参数的参数值作为恒定参数值;S02:从基准通道以外的通道中选择一路未经校准的通道作为待校准通道X,从S(A)中选择n组状态控制数据作为待校准通道X的状态控制数据,其中n≥1,所述n组状态控制数据对应的指定参数的取值与步骤S01中选择的指定参数的取值相等,且所述n组状态控制数据对应的恒定参数的取值与步骤S01中选择的恒定参数值相等;令待校准通道X工作时指定参数的取值等于步骤S01中确定的指定参数组中各指定参数的取值,且其恒定参数取值等于步骤S01选择的恒定参数值;将选择的n组状态控制数据分别控制待校准通道X的参数值,分别读取待校准通道X在n组状态控制数据控制下的参数值PX1,PX2…PXn;S03:读取基准通道在指定参数的取值等于步骤S01中确定的指定参数组中各指定参数的取值,以及恒定参数取值等于选择的恒定参数值的情况下,在n组状态控制数据控制下的参数值PA1,PA2…PAn;步骤S02与S03顺序不分先后;S04:计算PAq和PXq的偏差量DAqXq=PXq‑PAq,q=1,2,…,n;得到n个偏差量DA1X1、DA2X2…DAnXn;S05:拟合原点、DA1X1、DA2X2…DAnXn值中的至少两个值得到校准函数F(D);S06:计算待校准通道X的待校准参数全状态控制数据S(X):基准通道和待校准通道X的状态控制数据存在关系S(X)=S(A)+F,其中F为校准函数F(D)基于指定参数的取值和恒定参数值,针对待校准通道X生成的校准数据;S07:多次重复步骤S02‑S06,直到所有的通道都得到待校准参数的全状态控制数据,结束校准。
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