[发明专利]一种透明导电薄膜及其制备方法和应用在审
申请号: | 201811384841.1 | 申请日: | 2018-11-20 |
公开(公告)号: | CN109285640A | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
发明(设计)人: | 焦博;吴朝新;王振骁;侯洵 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00;H01B5/14 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 高博 |
地址: | 710049 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种透明导电薄膜及其制备方法和应用,由下至上依次为衬底金属导电网格和修饰层。本发明所公开的器件结构有助于改善银纳米线的热稳定性,抑制银原子迁移,增强银纳米线和衬底的附着了,可广泛应用于光伏、发光、传感等电子器件领域。 | ||
搜索关键词: | 制备方法和应用 透明导电薄膜 银纳米线 衬底 电子器件领域 金属导电网格 器件结构 热稳定性 修饰层 银原子 传感 附着 光伏 发光 迁移 应用 | ||
【主权项】:
1.一种透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、提供一衬底,对衬底进行预处理,以去除衬底表面的杂质;S2、涂布银纳米线分散液于衬底表面,经退火形成透明金属导电网格;S3、涂布溶胶‑凝胶前驱液于步骤S2制备的金属导电网格表面形成修饰层,经退火处理制成透明导电薄膜。
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