[发明专利]一种透明导电薄膜及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 201811384841.1 申请日: 2018-11-20
公开(公告)号: CN109285640A 公开(公告)日: 2019-01-29
发明(设计)人: 焦博;吴朝新;王振骁;侯洵 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;H01B5/14
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 高博
地址: 710049 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种透明导电薄膜及其制备方法和应用,由下至上依次为衬底金属导电网格和修饰层。本发明所公开的器件结构有助于改善银纳米线的热稳定性,抑制银原子迁移,增强银纳米线和衬底的附着了,可广泛应用于光伏、发光、传感等电子器件领域。
搜索关键词: 制备方法和应用 透明导电薄膜 银纳米线 衬底 电子器件领域 金属导电网格 器件结构 热稳定性 修饰层 银原子 传感 附着 光伏 发光 迁移 应用
【主权项】:
1.一种透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、提供一衬底,对衬底进行预处理,以去除衬底表面的杂质;S2、涂布银纳米线分散液于衬底表面,经退火形成透明金属导电网格;S3、涂布溶胶‑凝胶前驱液于步骤S2制备的金属导电网格表面形成修饰层,经退火处理制成透明导电薄膜。
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