[发明专利]一种起爆器爆炸桥箔的制作方法有效
申请号: | 201811385797.6 | 申请日: | 2018-11-21 |
公开(公告)号: | CN109556463B | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 潘婷;邓勇生;戚云娟;戚龙;薛小婷;王莹 | 申请(专利权)人: | 陕西电器研究所 |
主分类号: | F42B3/10 | 分类号: | F42B3/10;F42B3/195;C23C14/32;C23C14/18;C23C14/04 |
代理公司: | 西安文盛专利代理有限公司 61100 | 代理人: | 佘文英 |
地址: | 710025 陕西省*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种起爆器爆炸桥箔的制作方法,包括陶瓷基底的表面处理,陶瓷基底经过表面处理研磨抛光后,表面粗糙度达到小于15nm时,将陶瓷基底放入酒精进行超声波清洗干净并用氮气吹干,在待镀膜面上均匀涂覆一层光刻胶,通过紫外光刻工艺在光刻胶表面制作特定的桥箔掩膜图形,将胶膜经过固胶处理后,采用双离子束溅射镀膜工艺在陶瓷基底待镀膜面叠加沉积纯钛、纯铜和纯金三种膜层,桥箔制作结束后放入酒精进行超声波清洗去胶获得最终的桥箔图形,桥箔电阻值范围为30~50Ω。采用该工艺制作的爆炸桥箔与基底的附着力较高,桥箔纯度高使桥箔在燃爆过程中能量利用率高,可靠性高。 | ||
搜索关键词: | 一种 起爆 爆炸 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种起爆器爆炸桥箔的制作方法,其特征在于:首先对陶瓷基底(1)的表面处理,然后通过紫外光刻工艺将桥箔(2)的掩膜图形制作在陶瓷基底(1)表面,再通过双离子束溅射镀膜工艺完成桥箔(2)沉积。
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