[发明专利]一种倒八棱台形图形化硅衬底的制备方法

摘要

一种倒八棱台形图形化硅衬底的制备方法，本发明涉及一种倒八棱台形图形化硅衬底的制备方法。本发明的目的是为了解决目前干法蚀刻无法制备棱锥、棱台形图形化硅衬底以及难以蚀刻制备具有高指数晶面图形化硅衬底的问题，方法为：周期性二氧化硅掩膜制备、湿法蚀刻和去除二氧化硅掩膜；本发明具有高指数晶面，高指数晶面的均方根粗糙度比低指数晶面粗糙度高约10倍，比(100)晶面的粗糙度高约4倍。而粗糙的表面可以对入射光进行多次反射并增加光程，进而降低表面对光的反射率，因此倒八棱台图形化硅衬底相比于仅有低指数晶面的倒金字塔结构具有更优的光捕获能力。本发明应用于图形化硅衬底的制备领域。

主权项

1.一种倒八棱台形图形化硅衬底的制备方法，其特征在于该制备方法是按以下步骤进行：一.二氧化硅掩膜制备：利用光刻工艺在单晶硅衬底上制备圆孔型二氧化硅掩膜，得到覆有圆孔型二氧化硅掩膜的硅片；二.湿法蚀刻：将覆有圆孔型二氧化硅掩膜的硅片放在聚四氟乙烯花篮上并悬置于TMAH溶液中，然后将TMAH溶液升温至25～80℃，再进行蚀刻，得到蚀刻后的硅片；三.去除二氧化硅掩膜：将装有蚀刻后硅片的聚四氟乙烯花篮从TMAH溶液中取出用去离子水冲洗，然后置于BOE溶液中蚀刻2‑5min，再用去离子水冲洗并用氮气吹干即得倒八棱台图形化硅衬底。