[发明专利]一种空气桥结构肖特基栅控二极管器件及其制作方法

摘要

本发明涉及半导体芯片太赫兹波段领域，更具体的，涉及到一种具有空气桥结构肖特基栅控二极管器件及其制作方法。空气桥结构肖特基栅控二极管器件集成了高功函数金属栅、低功函金属肖特基接触、指状空气桥。制备的空气桥肖特基栅控二极管具有正向导通电压低、反向漏电小、截止频率高、能量消耗低、非线性强等优点，其制成的混频倍频器能实现太赫兹波段的频谱搬移功能，用于优良的太赫兹源及接收器。

主权项

1.一种空气桥结构肖特基栅控二极管器件，其特征在于，由下往上，依次是衬底（1），应力缓冲层（2），GaN沟道层（3），AlGaN势垒层（4），GaN盖帽层（5）；所述GaN沟道层（3）以上有两个凸面：第一凸面（7）和第二凸面（6），GaN沟道层（3）和AlGaN势垒层（4）以及GaN盖帽层（5）在两个凸面上；所述第一凸面（7）上刻蚀出一个圆柱状小孔（8），小孔（8）最少需要刻蚀至GaN沟道层（3），第一凸面（7）GaN盖帽层（5）上分别沉积欧姆接触金属（9）和肖特基接触金属（10,11），欧姆接触金属（9）和肖特基接触金属（10,11）之间有沟道（12）隔开，所述肖特基金属分为内外两层不同金属，内层肖特基金属（11）沉积在圆柱状小孔（8）内壁及圆柱底部，外层肖特基金属（10）以圆环形包围内层肖特基金属（11）形式沉积在GaN盖帽层（5）上；其中肖特基接触上加厚金；第二凸面（6）上有一层欧姆接触金属（9）且加厚金，所述肖特基上厚金与第二凸面（6）上厚金有空气桥（13）连接。