[发明专利]GaN基板及其制造方法在审
| 申请号： | 201811387490.X | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN109817778A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 田代功;片冈秀直;横山信之;大森健志 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/16 | 分类号： | H01L33/16;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘婷 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供减小偏角分布和基板表面的高低差的GaN基板。GaN基板在表面具有Ga面和N面且由GaN单晶构成，其中，Ga面具有平面部和包围平面部的周围的曲面部，N面的偏角分布比Ga面的偏角分布大。 | ||
| 搜索关键词： | 偏角 平面部 基板表面 高低差 曲面部 单晶 减小 包围 制造 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基板，其在表面具有Ga面和N面且由GaN单晶构成，其中，所述Ga面具有平面部和包围所述平面部的周围的曲面部，所述N面的偏角分布比所述Ga面的偏角分布大。
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