[发明专利]一种超薄单晶NiCl2有效

专利信息
申请号: 201811387760.7 申请日: 2018-11-21
公开(公告)号: CN109537053B 公开(公告)日: 2020-04-17
发明(设计)人: 符立才;林晓霞;周灵平;朱家俊;杨武霖;李德意 申请(专利权)人: 湖南大学
主分类号: C30B29/12 分类号: C30B29/12;C30B29/64;C30B25/02
代理公司: 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 代理人: 蒋太炜
地址: 410082 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明涉及一种超薄单晶NiCl2纳米片及其制备方法和应用。所述纳米片厚度尺寸为2nm‑20nm;具有(003)晶面的择优取向。其制备方法为:首先,将六水合氯化镍置于管式炉中,在惰性气体保护下,脱水;然后,预处理的粉末置于洁净干燥的管式炉中,在惰性气体保护下升华,即可获得超薄单晶NiCl2纳米片。本发明所设计和制备的产品,其应用领域包括将其用于热电池正极材料、超级电容器、锂离子电池、钠离子电池及磁性材料中的至少一种。
搜索关键词: 一种 超薄 nicl base sub
【主权项】:
1.一种超薄单晶NiCl2纳米片;其特征在于:所述NiCl2为片状单晶NiCl2;且片层厚度小于等于20nm。
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