[发明专利]用于缓解聚变设备中等离子体破裂的方法和设备在审
| 申请号： | 201811389109.3 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN109949947A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | P.B.帕克斯 | 申请（专利权）人： | 通用原子公司 |
| 主分类号： | G21B1/05 | 分类号： | G21B1/05;G21B1/25 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 胡琪 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 示例性芯块可用于磁聚变设备以缓解等离子体破裂。在一些实施例中，可以低温冷却芯块，这可使得芯块电导率升高。芯块的高导电率可以从芯块内部屏蔽出等离子体的磁场。等离子体磁场的屏蔽可以降低芯块的融化率，这可以允许更深的芯块穿透和更适合的沉积材料的空间分布，以恰当地缓解等离子体破裂。在一些其他实施例中，芯块可以是未被低温冷却的。 | ||
| 搜索关键词： | 芯块 等离子体 破裂 低温冷却 缓解 等离子体磁场 方法和设备 中等离子体 电导率 沉积材料 高导电率 空间分布 内部屏蔽 屏蔽 可用 磁场 穿透 融化 升高 | ||
【主权项】：
1.一种聚变设备，包括：等离子体容器，构造为包括中空内部以约束等离子体；多个环形场线圈，围绕所述等离子体容器的外表面的不同部分缠绕，所述多个环形场线圈被配置为将等离子体磁性地约束在所述等离子体容器内部；存储设备，所述存储设备存储芯块；以及芯块注入器，被放置以从所述存储设备接收芯块并且可操作地将芯块注入所述等离子体容器。
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