[发明专利]电泵浦量子点单光子源及其制备方法有效
| 申请号： | 201811389487.1 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN111200043B | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 许兴胜;靳思玥;秦璐 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/50 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电泵浦量子点单光子源及其制备方法，方法包括：步骤S101：准备III‑V族化合物量子阱发光芯片；步骤S102：在III‑V族化合物量子阱发光芯片上制作金属孔；步骤S103：在步骤S102制出的芯片表面引入量子点，完成器件的制作，本发明电泵浦量子点单光子源及其制备方法缓解了现有技术中存在的光泵浦量子点单光子源的实用性和便携性较差，及量子点单光子源的发光效率低的技术问题，达到了提高单光子源的实用性和便携性，及提高量子点单光子源的发光效率的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 电泵浦 量子 光子 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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