[发明专利]使用选择性偏振的激光切割有效
申请号: | 201811390828.7 | 申请日: | 2018-11-21 |
公开(公告)号: | CN109822212B | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 赛百克汉格洛夫·鲁斯兰·理佛维奇;沃伯格·保罗;阿尔斯兰诺夫·丹尼斯;多尔·罗马 | 申请(专利权)人: | 先进科技新加坡有限公司 |
主分类号: | B23K26/06 | 分类号: | B23K26/06;B23K26/38;B23K26/70 |
代理公司: | 北京申翔知识产权代理有限公司 11214 | 代理人: | 艾晶 |
地址: | 新加坡2*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种通过选择性地控制和利用入射激光束的偏振来切割半导体晶片的方法,其包括:用具有第一偏振状态的激光照射所述半导体晶片;以及随后用具有第二偏振状态的激光照射所述半导体晶片,所述第二偏振状态不同于所述第一偏振状态。 | ||
搜索关键词: | 使用 选择性 偏振 激光 切割 | ||
【主权项】:
1.一种切割半导体晶片的方法,其包括以下步骤:a)提供激光源,用于将激光引导到激光切割设备的照射区,b)将所述半导体晶片支撑在所述激光切割设备内,使得所述照射区与所述半导体晶片重合,以及c)用具有第一偏振状态的激光照射所述半导体晶片的照射区,并且随后用具有第二偏振状态的激光照射所述半导体晶片的所述照射区,所述第二偏振状态不同于所述第一偏振状态。
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