[发明专利]一次性编程电阻式随机存取记忆体位、记忆体及形成方法有效
| 申请号： | 201811391186.2 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN110021703B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 陈达;王炳琨;傅志正;吴健民;廖绍憬 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/00 | 分类号： | H10N70/00;H10B63/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天尧;任默闻 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种一次性编程电阻式随机存取记忆体位、记忆体及形成方法，包括形成电阻转换层于底电极层上；形成顶电极层于电阻转换层上；对电阻转换层施加形成电压，使顶电极层的电位低于底电极层的电位；及对电阻转换层进行烘烤工艺，其中电阻转换层中的空缺呈随机分布。本发明实施例可以使读取电流范围变大，读取电流累积分布函数为线性，亦可增强高温资料保存效能。 | ||
| 搜索关键词： | 一次性 编程 电阻 随机存取 记忆 体位 记忆体 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种一次性编程电阻式随机存取记忆体位的形成方法，其特征在于，包括：形成一电阻转换层于一底电极层上；形成一顶电极层于该电阻转换层上；对该电阻转换层施加一形成电压，使该顶电极层的一电位低于该底电极层的一电位；以及对该电阻转换层进行一烘烤工艺；其中该电阻转换层中的空缺呈随机分布。
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