[发明专利]一种晶圆蚀刻制程中的电浆清洗在审
| 申请号： | 201811391517.2 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN109545662A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 程玉霞 | 申请（专利权）人： | 合肥新汇成微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆蚀刻制程中的电浆清洗，包括以下步骤：(1)在集成电路芯片表面溅镀金属膜；(2)用光阻涂布机在芯片表面涂覆厚度为15‑40微米的光阻；(3)用曝光机，对无需生长金凸块位置的光阻进行曝光；(4)用显影机和显影液去除掉未曝光区的光阻，将需要生长金凸块的位置打开开窗；(5)在芯片上光阻开窗区镀10‑15微米高度的金凸块；(6)用光阻清洗液对晶圆进行光阻去除；(7)含有水溶性金属缓蚀剂的金属保护液，对光阻清洗液处理后的晶圆进行清洗，之后在氮气环境下进行甩干处理。 | ||
| 搜索关键词： | 金凸块 光阻 电浆清洗 蚀刻制程 晶圆 种晶 集成电路芯片 光阻清洗液 光阻涂布机 金属保护液 清洗液处理 水溶性金属 氮气环境 光阻去除 未曝光区 芯片表面 生长 缓蚀剂 金属膜 开窗区 曝光机 显影机 显影液 上光 除掉 溅镀 开窗 甩干 涂覆 清洗 芯片 曝光 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆蚀刻制程中的电浆清洗，其特征在于，包括以下步骤：(1)在集成电路芯片表面溅镀金属膜；(2)用光阻涂布机在芯片表面涂覆厚度为15‑40微米的光阻；(3)用曝光机，对无需生长金凸块位置的光阻进行曝光；(4)用显影机和显影液去除掉未曝光区的光阻，将需要生长金凸块的位置打开开窗；(5)在芯片上光阻开窗区镀10‑15微米高度的金凸块；(6)用光阻清洗液对晶圆进行光阻去除；(7)含有水溶性金属缓蚀剂的金属保护液，对光阻清洗液处理后的晶圆进行清洗，之后在氮气环境下进行甩干处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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