[发明专利]碳化硅高温退火表面保护的制作方法及碳化硅功率器件有效
| 申请号： | 201811391524.2 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN109494150B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 李波;胡泽先;刘亚亮;秦龙;张力江 | 申请（专利权）人： | 北京国联万众半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/324 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 许小荣 |
| 地址： | 101300 北京市顺义*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅高温退火表面保护的制作方法及碳化硅功率器件，属于半导体器件制备技术领域，包括：在碳化硅圆片表面沉积二氧化硅介质作为离子注入的散射层；在二氧化硅介质表面涂覆光刻胶，并对注入区域进行曝光、显影，露出二氧化硅介质；对碳化硅圆片进行离子注入；去除光刻胶；去除二氧化硅介质；在碳化硅圆片表面沉积类金刚石薄膜为高温退火的保护层；对圆片进行高温退火；去除类金刚石薄膜。本发明提供的碳化硅高温退火表面保护的制作方法，通过沉积类金刚石薄膜对碳化硅进行表面保护，类金刚石薄膜能够作为阻挡层抑制表面处Si的升华和再沉积过程，从而避免退火表面过于粗糙，有效改善芯片表面形貌，提升器件性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 高温 退火 表面 保护 制作方法 功率 器件 | ||
【主权项】：
1.碳化硅高温退火表面保护的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在碳化硅圆片表面沉积二氧化硅介质作为离子注入的散射层；在二氧化硅介质表面涂覆光刻胶，并对注入区域进行曝光、显影，露出二氧化硅介质；对碳化硅圆片进行离子注入；去除光刻胶；去除二氧化硅介质；在碳化硅圆片表面沉积类金刚石薄膜作为高温退火的保护层；对碳化硅圆片进行高温退火；去除类金刚石薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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