[发明专利]一种氢气传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201811391600.X | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN109557049A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 万磊;李朝晖;陈振世;刘伟平;熊松松 | 申请（专利权）人： | 暨南大学 |
| 主分类号： | G01N21/41 | 分类号： | G01N21/41 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈燕娴 |
| 地址： | 510632 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氢气传感器制备方法，包括步骤：将硫系软玻璃薄膜沉积于基片上；采用光刻刻蚀工艺将硫系软玻璃薄膜初步加工为硫系软玻璃微盘腔；腐蚀硫系软玻璃微盘腔下的保护层；选择性地沉积金属钯薄膜作为氢气吸收层；加工基片，完成氢气传感器的制作。本发明还公开了一种氢气传感器，包括微盘腔基片、和从下至上依次制备于基片上的保护层、硫系软玻璃微盘腔、氢气吸收层。本发明采用回音壁模式的光学微腔作为基本的传感单元，具有功耗低，抗电磁干扰性强、安全性好、灵活性强的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 软玻璃 硫系 微盘 氢气传感器 氢气吸收 保护层 制备 氢气传感器制备 回音壁模式 抗电磁干扰 薄膜沉积 沉积金属 传感单元 光学微腔 钯薄膜 功耗 薄膜 加工 腐蚀 制作 | ||
【主权项】：
1.一种氢气传感器制备方法，其特征在于，具体包括如下的步骤：S1、将硫系软玻璃薄膜沉积于基片上；S2、采用光刻刻蚀工艺将硫系软玻璃薄膜初步加工为硫系软玻璃微盘腔；S3、腐蚀硫系软玻璃微盘腔下的保护层；S4、选择性地沉积金属钯薄膜作为氢气吸收层；S5、加工基片，完成氢气传感器的制作。
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