[发明专利]一种大功率抗辐射晶体管芯片设计的方法及芯片有效
| 申请号： | 201811391720.X | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN109411348B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 赵志桓;刘伟丽;潘莹月;郭英华;韩怡;王壮壮;杜建都;乔大壮;姜莹 | 申请（专利权）人： | 山东农业工程学院 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/73;G06F30/392 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 张庆骞 |
| 地址： | 250100 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种大功率抗辐射晶体管芯片设计的方法及芯片。其中，一种大功率抗辐射晶体管芯片设计的方法，包括：网格化设计横向版图，并设置基区、发射区和键合区相关参数；其中，基区按照电子扩散浓度划分为深基区和淡基区；根据芯片预设参数性能要求，设计纵向结构，得到集电结结深和发射结结深；依次进行以下工艺制程：一次氧化、深基区光刻、深基区扩散、二次氧化、淡基区光刻、淡基区扩散、三次氧化、发射区光刻、发射区扩散、四次氧化、引线孔光刻、蒸铝、铝反刻和合金工艺，最终得到具备预设抗辐射性能参数的大功率晶体管芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 辐射 晶体管 芯片 设计 方法 | ||
【主权项】：
1.一种大功率抗辐射晶体管芯片设计的方法，其特征在于，包括：网格化设计横向版图，并设置基区、发射区和键合区相关参数；其中，基区按照电子扩散浓度划分为深基区和淡基区；根据芯片预设参数性能要求，设计纵向结构，得到集电结结深和发射结结深；依次进行以下工艺制程：一次氧化、深基区光刻、深基区扩散、二次氧化、淡基区光刻、淡基区扩散、三次氧化、发射区光刻、发射区扩散、四次氧化、引线孔光刻、蒸铝、铝反刻和合金工艺，最终得到具备预设抗辐射性能参数的大功率晶体管芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
