[发明专利]一种具有隧道结的氮化镓基发光二极管外延制备方法在审
| 申请号： | 201811391765.7 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN109616557A | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 顾伟 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32;C23C16/44;C23C16/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南昌高新技*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有隧道结的氮化镓基发光二极管外延制备方法，包括如下步骤：步骤S1、在一衬底上，生长氮化镓基的缓冲层、第一n型半导体层、有源层和p型半导体层；步骤S2、对所述p型半导体层进行活化；步骤S3、对所述活化后的p型半导体层进行表面处理，去除表面污染物；步骤S4、在所述表面处理后的p型半导体层上，生长氮化镓基的第二n型半导体层。本发明的优点在于：采用二次外延的方法实现p++/n++重掺杂的隧道结，避免了MOCVD一次外延生长中存在的Mg记忆效应的问题，可以得到界面掺杂浓度陡峭的隧道结；在二次外延生长第二n型半导体层之前，对p型半导体层高温退火进行活化，避免p型半导体层被第二n型半导体层覆盖后难以活化的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道结 活化 氮化镓基发光二极管 生长氮化镓基 制备 表面污染物 高温退火 记忆效应 界面掺杂 外延生长 一次外延 缓冲层 重掺杂 衬底 去除 源层 陡峭 生长 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种具有隧道结的氮化镓基发光二极管外延制备方法，包括如下步骤：步骤S1、在一衬底上，生长氮化镓基的缓冲层、第一n型半导体层、有源层和p型半导体层；步骤S2、对所述p型半导体层进行活化，由于后续生长的第二n型半导体层将会阻止活化过程中氢的扩散，所以需要在生长第二n型半导体层之前进行高温退火；步骤S3、对所述活化后的p型半导体层进行表面处理，去除表面污染物；步骤S4、在所述表面处理后的p型半导体层上，生长氮化镓基的第二n型半导体层；其特征在于：所述第二n型半导体层采用二次外延生长，所述二次外延生长前,先对所述p型半导体层进行活化和表面处理，所述p型半导体层、第二n型半导体层各自均至少包含有两种以上不同的p型掺杂浓度层和n型掺杂浓度层，且所述p型半导体层和第二n型半导体层的界面形成隧道结。
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