[发明专利]晶圆清洗装置及其工作方法有效
| 申请号： | 201811391846.7 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN109545714B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 吴康;李丹;高英哲;张文福;刘家桦;叶日铨 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种晶圆清洗装置及其工作方法，其中，晶圆清洗装置包括：腔室；与腔室连通的装载部，所述装载部用于承载盒体，所述盒体内装载有晶圆；位于所述腔室内的第一转移装置，用于自装载部将盒体转移至所述腔室内；位于所述腔室内的第一清洗腔，用于承载通过第一转移装置移入的盒体，并对所述盒体进行清洗；位于所述腔室内的第二转移装置，用于自装载部将晶圆转移至所述腔室内；位于所述腔室内的第二清洗腔，用于承载通过第二转移装置移入的晶圆，并对晶圆进行清洗。利用所述晶圆清洗装置能够提高晶圆的洁净度。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 装置 及其 工作 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司，未经德淮半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811391846.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种激光外延结构及制作方法
- 下一篇：一种GTP协议防护方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
