[发明专利]变压器反馈正交压控振荡器及其应用的通讯设备在审
申请号: | 201811392054.1 | 申请日: | 2018-11-21 |
公开(公告)号: | CN109842378A | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 陈筱青;江衍霆;余建德 | 申请(专利权)人: | 徐克铭 |
主分类号: | H03B27/00 | 分类号: | H03B27/00;H03B5/08 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 中国台湾台北市中正*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种变压器反馈正交压控振荡器,包含第一半电路及第二半电路,第一半电路及第二半电路分别包含第一耦合电容、第二耦合电容、感应电感、PMOS晶体管、NMOS晶体管、及调频电路。PMOS晶体管及NMOS晶体管的基极分别连接至第一耦合电容及第二耦合电容的第一端,PMOS晶体管的漏极连接感应电感的第一端,NMOS晶体管栅极连接至PMOS晶体管的漏极,NMOS晶体管的漏极连接至PMOS晶体管的栅极及感应电感的第二端。调频电路连接至PMOS晶体管的漏极及NMOS晶体管的漏极。 | ||
搜索关键词: | 漏极 耦合电容 感应电感 电路 正交压控振荡器 调频电路 第一端 变压器 通讯设备 反馈 应用 | ||
【主权项】:
1.一种变压器反馈正交压控振荡器,其特征在于,包含:第一半电路;以及第二半电路,其中所述第一半电路及所述第二半电路的每一个包含:第一耦合电容,为可变电容;第二耦合电容,为可变电容;感应电感;PMOS晶体管,所述PMOS晶体管的基极连接至所述第一耦合电容的第一端,所述PMOS晶体管的漏极连接所述感应电感的第一端,所述PMOS晶体管的源极连接至一系统电压;NMOS晶体管,所述NMOS晶体管的基极连接所述第二耦合电容的第一端,所述NMOS晶体管栅极连接至所述PMOS晶体管的漏极,所述NMOS晶体管的漏极连接至所述PMOS晶体管的栅极以及所述感应电感的第二端,所述NMOS晶体管的源极连接至一接地;以及调频电路,连接至所述PMOS晶体管的漏极以及所述NMOS晶体管的漏极;其中所述第一半电路的所述PMOS晶体管及所述NMOS晶体管的源极分别连接至所述第二半电路的所述第一耦合电容及所述第二耦合电容的第二端,而所述第二半电路的所述PMOS晶体管及所述NMOS晶体管的源极分别连接至所述第一半电路的所述第一耦合电容及所述第二耦合电容的第二端。
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