[发明专利]碳化硅栅介质氟等离子体的处理方法及碳化硅功率器件有效
| 申请号： | 201811392399.7 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN109524304B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 刘佳佳;樊帆;高渊;毕胜赢;崔玉兴 | 申请（专利权）人： | 北京国联万众半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L29/16;H01L29/423 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 许小荣 |
| 地址： | 101300 北京市顺义*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅栅介质氟等离子体的处理方法及碳化硅功率器件，包括以下步骤，对圆片进行清洗；对经清洗的圆片表面进行电子回旋共振‑氟等离子体处理；放入氧化炉进行氧化。本发明提供的碳化硅栅介质氟等离子体的处理方法，在碳化硅进行干氧氧化前进行含氟等离子体处理，处理后的碳化硅在低温氧化设备中可实现碳化硅氧化，一方面避免使用传统退火工艺中的有毒气体，另一方面避免了采用特定的高温氧化退火设备，保证栅介质可靠性的同时，降低了工艺与设备成本，也降低了工艺的热预算。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 介质 等离子体 处理 方法 功率 器件 | ||
【主权项】：
1.碳化硅栅介质氟等离子体的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：对圆片进行清洗；对经清洗的圆片表面进行电子回旋共振‑氟等离子体处理；放入氧化炉进行氧化，氧化温度不超过1200℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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