[发明专利]一种双频射频等离子体沉积单晶金刚石的方法在审
| 申请号： | 201811393584.8 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN109234806A | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 陈广超;李佳君;刘浩;李震睿;徐锴;陈正佳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大学 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/04 |
| 代理公司： | 北京华谊知识产权代理有限公司 11207 | 代理人： | 刘月娥 |
| 地址： | 100049 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种双频射频等离子体沉积单晶金刚石的方法，属于金刚石化学气相沉积技术领域。沉积腔的背底真空0.01～10Pa。反应气体为Ar，2～5slm，H2，1～3slm，CH4/H2，0.5～3％。单晶金刚石基底机械固定在钼沉积台上。样品表面在等离子体轴线以下0～30mm，距离等离子体发生器出口0～50mm。通入反应气体并激发等离子体，高频功率维持在1～3kW，频率为13.56MHz，低频功率维持在5～15kW，频率为4MHz。压强维持在5000～10000Pa，基底温度为700～1100℃。等离子体中有C2，CH，Hα，Hβ，Ar等基团；制备出表面积为5mm×5mm，厚度为180～330微米的单晶金刚石膜。优点在于，为化学气相沉积单晶金刚石提供一条新的途径。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶金刚石 等离子体 沉积 化学气相沉积 射频等离子体 反应气体 基底 双频 等离子体发生器 压强 单晶金刚石膜 低频功率 高频功率 机械固定 样品表面 金刚石 沉积腔 制备 激发 出口 | ||
【主权项】：
1.一种双频射频等离子体沉积单晶金刚石的方法，沉积使用双频射频电感耦合等离子体沉积设备；其特征在于，沉积中控制的工艺参数为：沉积腔的背底真空0.01～10Pa，反应气体为Ar，2～5slm，H2，1～3slm，CH4/H2，0.5～3％；单晶金刚石基底机械固定在钼沉积台上，样品表面在等离子体轴线以下0～30mm，距离等离子体发生器出口0～50mm；通入反应气体并激发等离子体，高频功率维持在1～3kW，频率为13.56MHz，低频功率维持在5～15kW，频率为4MHz；压强维持在5000～10000Pa，基底温度为700～1100℃；等离子体中有C2，CH，Hα，Hβ，Ar基团；制备出表面积为5mm×5mm，厚度为180～330微米的单晶金刚石膜。
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