[发明专利]一种异种材料环形微构造梯度过渡结构及制备方法在审
| 申请号： | 201811395159.2 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN109624423A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 赵立霞;唐晔;明宪良;汪小明 | 申请（专利权）人： | 北京遥感设备研究所 |
| 主分类号： | B32B3/30 | 分类号： | B32B3/30;B32B33/00 |
| 代理公司： | 中国航天科工集团公司专利中心 11024 | 代理人： | 葛鹏 |
| 地址： | 100854*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种异种材料环形微构造梯度过渡结构及制备方法，包括第一基体材料区、第二基体材料区和环形微构造梯度区,环形微构造梯度区由第一基体材料的梯度牙阵列、第二基体材料的梯度牙阵列、异种材料连接界面层构成，在第一基体材料区上，生长有第一基体材料的梯度牙阵列；在第一基体材料梯度牙阵列的表面沉积异种材料连接界面层；在异种材料连接界面层上，生长第二基体材料的梯度牙阵列；在第二基体材料的梯度牙阵列，生长第二基体材料区。通过将连接区域微构造化。本发明的优点是：克服了异种材料结合界面性能突变和各向异性的问题。有效解决了异种材料融合对整体结构性能的不良影响，从而进一步提高整体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 基体材料 异种材料 异种材料连接 界面层 过渡结构 梯度区 生长 制备 表面沉积 结合界面 连接区域 有效解决 构造化 突变 融合 | ||
【主权项】：
1.一种异种材料环形微构造梯度过渡结构，其特征在于，包括：第一基体材料区、第二基体材料区，环形微构造梯度区，其中，环形微构造梯度区由第一基体材料的梯度牙阵列、第二基体材料的梯度牙阵列、异种材料连接界面层构成，在第一基体材料区上，生长有第一基体材料的梯度牙阵列；在第一基体材料梯度牙阵列的表面沉积异种材料连接界面层；在异种材料连接界面层上，生长第二基体材料的梯度牙阵列；在第二基体材料的梯度牙阵列，生长第二基体材料区。
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