[发明专利]高性能铟镓锌氧基双层结构薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201811395202.5 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN109585567A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 廖蕾;何佳威 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/363 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 俞琳娟 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供高性能铟镓锌氧基双层结构薄膜晶体管及其制备方法，能够有效减少双层薄膜中的缺陷，并显著提高迁移率和开关电流比。本发明所涉及的薄膜晶体管，从下往上依次包括：P型重掺杂硅片、二氧化硅绝缘层、铟镓锌氧薄膜层、氧化铟薄膜层以及源漏电极。方法包括：以生长有二氧化硅绝缘层的重掺杂P型硅片为基底，对铟镓锌氧复合靶材进行射频磁控溅射，同时通过掩膜工艺在基底上沉积形成铟镓锌氧薄膜；在铟镓锌氧薄膜层上对氧化铟靶材进行射频磁控溅射，通过掩膜工艺沉积形成氧化铟薄膜层，进而形成铟镓锌氧/氧化铟双沟道层；在铟镓锌氧/氧化铟双沟道层上采用热蒸发工艺，同时通过掩膜工艺制备源漏电极，即得铟镓锌氧基双层结构薄膜晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 铟镓锌氧 薄膜晶体管 铟镓锌氧薄膜 双层结构 掩膜工艺 制备 二氧化硅绝缘层 射频磁控溅射 氧化铟薄膜 源漏电极 双沟道 氧化铟 沉积 基底 开关电流比 复合靶材 双层薄膜 氧化铟靶 有效减少 迁移率 热蒸发 重掺杂 硅片 生长 | ||
【主权项】：
1.一种高性能铟镓锌氧基双层结构薄膜晶体管，其特征在于，从下往上依次包括：P型重掺杂硅片、二氧化硅绝缘层、铟镓锌氧薄膜层、氧化铟薄膜层、以及源漏电极，其中，所述铟镓锌氧薄膜层和所述氧化铟薄膜层形成铟镓锌氧/氧化铟双沟道层。
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