[发明专利]一种锗酸铋二维纳米片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811395793.6 申请日: 2018-11-22
公开(公告)号: CN109553132B 公开(公告)日: 2021-03-30
发明(设计)人: 魏伟;贾方方;付坤;王科峰;张春雨;王军梅 申请(专利权)人: 商丘师范学院
主分类号: C01G29/00 分类号: C01G29/00;H01M4/58;H01M10/0525;B82Y40/00
代理公司: 郑州中原专利事务所有限公司 41109 代理人: 张春;王晓丽
地址: 476000 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开一种锗酸铋二维纳米片及其制备方法,所述锗酸铋形貌为二维纳米片层结构,片层结构厚度在3~50 nm,片层直径200~500 nm。所述锗酸铋二维纳米片是以三碘化铋、二氧化锗为原料,以乙二醇、水的混合液为溶剂,泡沫镍为衬底,用溶剂热法制备的。所述三碘化铋和二氧化锗的物质的量之比为(0.3~2):1,三碘化铋和二氧化锗的总加入量为1~4 mmol,乙二醇的用量为5~25 mL,水的用量为5~25 mL。本发明用于锂离子电池负极材料时,在100 mA/g的电流密度下,该材料的首次可逆容量可达1200~1469 mAh/g,经100次循环,容量保持率为50%~65%,不仅较高的充放电容量,而且表现出良好的循环性能。
搜索关键词: 一种 锗酸铋 二维 纳米 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种锗酸铋二维纳米片,其特征在于:所述锗酸铋形貌为二维纳米片层结构,其厚度为3 ~ 50 nm。
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