[发明专利]集成标准单元结构有效
| 申请号： | 201811396072.7 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN110610937B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 陈芳;廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了集成电路，包括第一标准单元，具有集成的第一p型场效应晶体管(pFET)和第一n型场效应晶体管(nFET)，并且具有位于第一标准单元边界上的第一介电栅极。该集成电路还包括第二标准单元，第二标准单元与第一标准单元相邻，具有集成的第二pFET和第二nFET，并且具有位于第二标准单元边界上的第二介电栅极。集成电路也包括配置在第一和第二标准单元之间并且具有单节距尺寸P的第一填充单元。第一pFET和第二pFET形成在第一连续有源区域上。第一nFET和第二nFET形成在第二连续有源区域上。第一填充单元包括位于第一填充单元边界上的第三介电栅极和位于第二填充单元边界上的第四介电栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 标准 单元 结构 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括：/n第一标准单元，具有集成的第一p型场效应晶体管(pFET)和第一n型场效应晶体管(nFET)，并且具有位于第一标准单元边界上的第一介电栅极；/n第二标准单元，与所述第一标准单元相邻，具有集成的第二p型场效应晶体管和第二n型场效应晶体管，并且具有位于第二标准单元边界上的第二介电栅极；以及/n第一填充单元，配置在所述第一标准单元和所述第二标准单元之间并且具有单节距尺寸P，其中/n所述第一p型场效应晶体管和所述第二p型场效应晶体管形成在第一连续有源区域上，/n所述第一n型场效应晶体管和所述第二n型场效应晶体管形成在第二连续有源区域上，以及/n所述第一填充单元包括位于第一填充单元边界上的第三介电栅极和位于第二填充单元边界上的第四介电栅极。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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