[发明专利]具有混合掺杂区的绝缘体上硅半导体器件有效
| 申请号： | 201811396073.1 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN110556412B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 刘逸群;杨超源 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/762;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在一些实施例中，提供了一种半导体器件。半导体器件包括：半导体衬底，包括通过绝缘层与第二半导体材料层分离的第一半导体材料层。源极区和漏极区设置在第一半导体材料层中并且间隔开。栅电极设置在源极区和漏极区之间的第一半导体材料层上方。具有第一掺杂类型的第一掺杂区设置在第二半导体材料层中，其中，栅电极直接位于第一掺杂区的上面。具有与第一掺杂类型不同的第二掺杂类型的第二掺杂区设置在第二半导体材料层中，其中，第二掺杂区在第一掺杂区下方延伸并接触第一掺杂区的相对两侧。本发明实施例涉及具有混合掺杂区的绝缘体上硅半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 混合 掺杂 绝缘体 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n半导体衬底，包括通过绝缘层与第二半导体材料层分离的第一半导体材料层；/n第一源极区和第一漏极区，设置在所述第一半导体材料层中，其中，所述第一源极区沿第一方向与所述第一漏极区间隔开；/n栅电极，设置在所述第一源极区和所述第一漏极区之间的所述第一半导体材料层上方；/n第一掺杂区，包括第一掺杂类型并且设置在所述第二半导体材料层中，其中，所述栅电极直接位于所述第一掺杂区的上面；以及/n第二掺杂区，包括与所述第一掺杂类型不同的第二掺杂类型并且设置在所述第二半导体材料层中，其中，所述第二掺杂区在所述第一掺杂区下方沿所述第一方向延伸并接触第一掺杂区的相对两侧。/n
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