[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201811396341.X | 申请日: | 2015-02-23 |
公开(公告)号: | CN109461685B | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 吉田武司 | 申请(专利权)人: | 株式会社思可林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687;H01L21/02 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;宋晓宝 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 基板处理装置(1)包括:具有上部开口(222)的腔室本体(22);具有下部开口(232)的腔室盖部(23);位于腔室盖部(23)的盖内部空间(231)的遮蔽板(51)。遮蔽板(51)的径方向的尺寸比下部开口(232)的径方向的尺寸大。腔室本体(22)的上部开口(222)通过腔室盖部(23)而被覆盖,从而形成使基板(9)容纳在内部的腔室体(21)。在基板处理装置(1)中,在基板(9)被移入而形成腔室体(21)之前,在遮蔽板(51)与下部开口(232)重合的状态下,从气体供给部(812)所供给的气体被填充至腔室盖部(23)的盖内部空间(231)中。由此,形成腔室体(21)后,腔室体(21)内迅速被气体所充满,从而能够实现所期望的低氧气气氛。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,用于对基板进行处理,所述基板处理装置具有:腔室盖部,具有下部开口,在所述下部开口的上方形成有盖内部空间;腔室本体,形成本体内部空间,并且与所述腔室盖部一起形成腔室;基板保持部,在所述本体内部空间以水平状态保持基板;处理液供给部,向所述基板的上表面供给处理液;遮蔽板,配置于所述盖内部空间,与所述基板的所述上表面相向,该遮蔽板能够堵塞所述下部开口;气体供给部,在所述腔室内,所述遮蔽板从所述腔室盖部的所述下部开口向上方分离的状态下,该气体供给部通过从比所述遮蔽板高的上方向所述盖内部空间供给气体,使所述盖内部空间的气压大于所述本体内部空间的气压,从而使所述盖内部空间的所述气体,从所述遮蔽板和所述腔室盖部之间的间隙经由所述下部开口向所述本体内部空间送出;排出端口,在所述本体内部空间设置于比所述基板低的下方,该排出端口吸引从所述盖内部空间流入的所述气体来向所述腔室的外部排出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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