[发明专利]P型半导体低阻欧姆接触结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201811396444.6 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN111223918A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 蒋春萍;谷承艳;林雨;李玉雄;刘峰峰;隋展鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/285 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王茹;王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种P型半导体低阻欧姆接触结构及其制备方法。所述P型半导体低阻欧姆接触结构包括P型半导体衬底、形成在于所述P型半导体衬底上的金属性的三元过渡金属氮化物薄膜，其中所述的三元过渡金属氮化物薄膜的材质包括TiBN、ZrBN、TiAlN、ZrAlN中的一种。本发明实施例提供的制备方法利用过渡金属氮化物的耐高温性质，提高了P型半导体欧姆接触的热稳定性，这对高功率器件有重要意义；其次，在过渡金属氮化物如TiN、ZrN中引入B、Al元素，提高过渡金属氮化物薄膜的功函数，实现与P型半导体材料的欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 欧姆 接触 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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